半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-295235
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110788
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】酸素を用いたフォトレジストパターンの剥離工程における、低誘電率絶縁膜の誘電率の上昇を防止すること。【解決手段】低誘電率絶縁膜であるメチルポリシロキサン膜5上のフォトレジストパターン6を、酸素および窒素を含むガスを用いたプラズマ処理により剥離する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、接続孔を有する低誘電率絶縁膜と、前記低誘電率絶縁膜の接続孔の側面上に選択的に形成された保護膜と、前記低誘電率絶縁膜の接続孔内に形成された導電性部材とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (5件)：

G03F 7/42 , H01L 21/90 S , H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 H , H01L 21/90 A

Fターム (44件)：

2H096AA25 , 2H096CA05 , 2H096HA14 , 2H096LA07 , 2H096LA08 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BD01 , 5F004DA00 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DB03 , 5F004DB23 , 5F004DB26 , 5F004EB02 , 5F004EB03 , 5F033HH11 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ33 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ90 , 5F033RR06 , 5F033RR23 , 5F033RR25 , 5F033TT04 , 5F033TT06 , 5F033TT07 , 5F033XX24 , 5F046MA12 , 5F046MA13

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-104439 出願人：日本電気株式会社
特開平2-077125
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-282863 出願人：日本電気株式会社

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