半導体装置の製造方法および製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-205212
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035794
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板裏面に形成されるGeを除去し、Geによる汚染を防止することである。【解決手段】シリコン基板の裏面にエッチングガスを導入させる。これによって、シリコン基板裏面に形成されたGeを除去し、Geによる汚染を防止することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板を支持するサセプタと、内部を減圧する減圧ポンプと、前記サセプタに載置されたシリコン基板表面に、原料ガスを供給し、GeもしくはSiGe膜をCVD法により形成する形成室と、前記シリコン基板を裏面から加熱するヒーター装置が設けられた加熱室とを備えた半導体装置の製造装置において、前記加熱室にシリコン基板の裏面側をエッチングするエッチングガスを導入するための導入口を設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。

Fターム (18件)：

5F045AA06 , 5F045AA07 , 5F045AB01 , 5F045AB05 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC19 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045BB14 , 5F045DP04 , 5F045EB02 , 5F045EM02 , 5F045EM09 , 5F045HA13

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-190991 出願人：日本電気株式会社, アネルバ株式会社
成膜処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-025686 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平4-345022

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