不揮発性半導体メモリ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-084379
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284155
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】コンタクト部のサイズによらず、セレクトゲート電極間を狭める。【解決手段】セレクトゲートトランジスタは、第一層目のセレクトゲート電極SGD(下)と第二層目のセレクトゲート電極SGD(上)を有する。セレクトゲート電極SGD(下)は、複数のコンタクト領域を有し、セレクトゲート電極SGD(上)は、複数のコンタクト領域上において取り除かれている。カラム方向に隣接する二つのセレクトゲート電極に関し、一方のセレクトゲート電極のコンタクト領域と他方のセレクトゲート電極のコンタクト領域は、互いに対向していない。一方のセレクトゲート電極のコンタクト領域に対向する他方のセレクトゲート電極SDG(下),SGD(上)は、両者が短絡しないように取り除かれている。

請求項（抜粋）：

拡散層を挟んでカラム方向に隣接し、ロウ方向に伸びる第1及び第2セレクトゲート電極を有し、前記第1及び第2セレクトゲート電極がそれぞれ第1導電層とその上の第2導電層から構成される不揮発性半導体メモリにおいて、前記第1及び第2セレクトゲート電極の前記第1導電層は、前記第1導電層に対する複数のコンタクト領域を有し、前記第1及び第2セレクトゲート電極の前記第2導電層は、前記複数のコンタクト領域上で取り除かれ、前記第1セレクトゲート電極の第1導電層に対するコンタクト領域と前記第2セレクトゲート電極の第1導電層に対するコンタクト領域は、互いに対向しないように配置され、前記第1セレクトゲート電極の第1導電層に対するコンタクト領域に対向する部分の前記第2セレクトゲート電極の第1及び第2導電層が取り除かれ、前記第2セレクトゲート電極の第1導電層に対するコンタクト領域に対向する部分の前記第1セレクトゲート電極の第1及び第2導電層が取り除かれていることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (4件)：

H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (9件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-210169 出願人：株式会社東芝
特開平4-352469
特開平4-352469

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