特許
J-GLOBAL ID:200903037104357403
化合物太陽電池及び製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-306176
公開番号(公開出願番号):特開2007-115916
出願日: 2005年10月20日
公開日(公表日): 2007年05月10日
要約:
【課題】 III-V族化合物太陽電池セルの表面電極形成プロセスを簡略化できる太陽電池セル構造及び太陽電池セル作製方法を提供する。 【解決手段】 本発明では、窓層及び光電変換層よりバンドギャップが大きいGaPを主成分とする材料をコンタクト層として用いる。この構成により、光が透過する部分にコンタクト層が存在していた場合でも、その透過損失により太陽電池セルの出力が低下することを抑えることができる。そのため、コンタクト層の製膜面積を大きく取ることができ、コンタクト層と表面電極の位置あわせ精度を緩和することが可能となる。また、さらに、コンタクト層を窓層上全面に形成することにより、コンタクト層のエッチング工程を省略できるとともに、表面電極の精密な位置あわせが不要となり、太陽電池の製造工程を簡略化することができる。 【選択図】図1
請求項(抜粋):
III-V族化合物半導体を主材料とする光電変換層を少なくとも1つ含む複数の半導体層と、
前記半導体層の裏面に積層された裏面電極と、
前記半導体層の表面に積層された窓層と、
前記窓層の表面の少なくとも一部に積層されたGaPを主成分とするコンタクト層と、
前記コンタクト層上面の少なくとも一部に積層された表面電極と、
を備える太陽電池。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (8件):
5F051AA08
, 5F051DA03
, 5F051DA07
, 5F051DA16
, 5F051DA18
, 5F051DA19
, 5F051DA20
, 5F051GA04
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
直列接続型太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-009810
出願人:株式会社ジャパンエナジー
審査官引用 (5件)
-
太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-263818
出願人:沖電気工業株式会社
-
半導体発光素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-015503
出願人:シャープ株式会社
-
発光ダイオード及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-148666
出願人:シャープ株式会社
-
半導体レーザおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-086342
出願人:日本電気株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-207885
出願人:沖電気工業株式会社
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