特許
J-GLOBAL ID：200903037205611580
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-224828
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100806
出願日： 1999年08月09日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 多数の単位工程を順次行う場合でも、自然酸化膜の成長及び汚染粒子の発生を防止することのできる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体素子の製造方法は、少なくとも一つ以上の反応器モジュールを有する半導体工程処理装置で半導体素子を製造する方法において、半導体基板の上部に第1導電層を形成する段階と、第1導電層をパターニング及びエッチングして下部電極230を形成する段階と、処理装置の反応器内で、化学気相蒸着工程を適用して下部電極230上にキャパシタ用誘電膜240を形成する段階と、キャパシタ用誘電膜240に上部電極250を形成する段階とを備え、各段階の一部又は全部を一貫的に行うことができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも一つ以上の反応器モジュールを有する半導体工程処理装置で半導体素子を製造する方法において、半導体基板の上部に第1導電層を形成する段階と、前記第1導電層をパターニング及びエッチングして下部電極を形成する段階と、前記処理装置の反応器内で、化学気相蒸着工程を適用して前記下部電極上にキャパシタ用誘電膜特性を有するタンタル窒化酸化膜を形成する段階と、前記タンタル窒化酸化膜に上部電極を形成する段階とを備えることを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, H01L 21/285
, H01L 21/3065
H01L 21/31 C
, H01L 21/285 C
, H01L 21/302 N
