エピタキシャル膜形成装置用のサセプタ、エピタキシャル膜形成装置、エピタキシャルウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-284512
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111296
出願日： 2007年10月31日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：

【課題】エピタキシャルウェーハ全体における厚みのバラツキを小さくすることが可能なサセプタを提供する。【解決手段】半導体ウェーハ22を収容する平面視略円形の凹部21aが設けられ、凹部21aには半導体ウェーハ22を支持する平面視略円形の凸部21dが設けられ、凸部21dの直径d1が凹部21aの直径d2よりも小とされ、かつ凸部21dの直径d1が、凹部21aに半導体ウェーハ22が載置された際に凸部21dと半導体ウェーハ22との境界全体に気相成長反応に供される反応ガスが流通可能となる大きさに設定されていることを特徴とするエピタキシャル膜形成装置用のサセプタ21を採用する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

エピタキシャル膜形成装置の成膜室内に設置されるサセプタであって、半導体ウェーハを収容する平面視略円形の凹部が設けられ、前記凹部には前記半導体ウェーハを支持する平面視略円形の凸部が設けられ、前記凸部の直径が前記凹部の直径よりも小とされ、かつ前記凸部の直径が、前記凹部に前記半導体ウェーハが載置された際に前記凸部と前記半導体ウェーハとの境界全体に気相成長反応に供される反応ガスが流通可能となる大きさに設定されていることを特徴とするエピタキシャル膜形成装置用のサセプタ。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/458 , C30B 25/12

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/458 , C30B25/12

Fターム (38件)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DB04 , 4G077EE06 , 4G077EE08 , 4G077EF01 , 4G077EG03 , 4G077EG16 , 4G077EG24 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA11 , 4G077TA12 , 4G077TC13 , 4G077TE05 , 4G077TF02 , 4G077TH07 , 4G077TK08 , 4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030KA23 , 4K030KA47 , 5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AC05 , 5F045AF03 , 5F045BB02 , 5F045DP07 , 5F045DP27 , 5F045DQ04 , 5F045EM02

引用特許：

出願人引用 (1件)

気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-343943 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社

審査官引用 (7件)

シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-282551 出願人：信越半導体株式会社
バレル型気相成長用サセプタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-312748 出願人：東芝セラミックス株式会社
半導体製造時にウェハを支持するホルダ
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-522644 出願人：エスゲーエルカーボンアクチエンゲゼルシャフト

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