半導体製造時にウェハを支持するホルダ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-522644
公開番号（公開出願番号）：特表2007-518249
出願日： 2004年08月02日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

各種ウェハ処理分野に使用される現在の最高技術水準のホルダに勝る製造及び性能利点を有する改善されたウェハホルダ設計を開示する。このウェハホルダには、一連の短い半径方向溝が組み込んである。溝は環状チャンネルの基部から延び、このチャンネルはウェハ寸法と肉厚に基づき変化する固定された半径方向位置へ基部ウェハ凹部の外径沿いに延びている。この溝がウェハに対し若干の重複を備え、ウェハの着脱操作に必要なウェハ下側での自由なガス交換を容易にしている。半径方向溝の短い長さが、ウェハホルダをより簡単に製造させ、現在の最高技術水準のホルダに比べより優れた性能を提供する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

化学蒸着システムにおいて半導体基板ウェハを保持するウェハホルダであって、上面を有するホルダ本体と、前記ホルダ本体上面の円形ウェハ凹部であって、外周縁部と内部領域を有するウェハ凹部と、前記ホルダ本体の前記上面内に配置した複数の溝穴であって、各々が前記ウェハ凹部の前記外周縁部に隣接して始まり、前記ウェハ凹部の前記内部領域へ向け延び、そこで終端する溝穴とを備えることを特徴とするウェハホルダ。

IPC (1件)：

H01L 21/683

FI (1件)：

H01L21/68 N

Fターム (15件)：

5F031CA02 , 5F031FA01 , 5F031FA12 , 5F031FA20 , 5F031GA28 , 5F031HA02 , 5F031HA05 , 5F031HA07 , 5F031HA10 , 5F031HA32 , 5F031HA33 , 5F031HA42 , 5F031MA28 , 5F031PA11 , 5F031PA13

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体基板用熱処理治具
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-220728 出願人：住友シチックス株式会社
サセプタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-226705 出願人：東芝セラミックス株式会社, 徳山セラミックス株式会社
成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-040573 出願人：三菱電機株式会社

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