半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-266152
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094093
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】トンネル酸化膜が酸窒化膜により形成され、ゲート電極の少なくとも一部が高融点シリサイド膜又は高融点金属膜により形成されている半導体装置におけるゲート電極底面周縁部の後酸化膜を、高融点シリサイド膜又は高融点金属膜の異常成長を回避しながら正常に形成することが可能な構成の半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、ゲート電極の一部を形成している高融点シリサイド膜又は高融点金属膜の側面を被覆する電極保護膜を、後酸化膜形成前に形成するものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板表面上に形成された酸窒化膜からなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の所定領域に、一部が高融点シリサイド膜又は高融点金属膜により形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の側面を被覆し、かつ、前記ゲート絶縁膜から離隔して形成された電極保護膜と、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極及び前記電極保護膜の表面上に形成された後酸化膜と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 21/316 X , H01L 21/316 S , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 371

Fターム (51件)：

5F001AA25 , 5F001AA30 , 5F001AB04 , 5F001AB08 , 5F001AD10 , 5F001AD19 , 5F001AD53 , 5F001AD90 , 5F001AE08 , 5F001AF05 , 5F001AF10 , 5F001AG02 , 5F001AG07 , 5F001AG17 , 5F001AG21 , 5F001AG22 , 5F001AG40 , 5F040DA00 , 5F040DC01 , 5F040EA08 , 5F040EC00 , 5F040EC07 , 5F040ED03 , 5F040EL02 , 5F040FA16 , 5F040FA17 , 5F040FA19 , 5F040FC00 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F058BJ01 , 5F101BA07 , 5F101BA12 , 5F101BB05 , 5F101BB08 , 5F101BD10 , 5F101BD34 , 5F101BD41 , 5F101BD50 , 5F101BE07 , 5F101BF01 , 5F101BF10 , 5F101BH02 , 5F101BH03 , 5F101BH04 , 5F101BH19 , 5F101BH21 , 5F101BH30

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-327290 出願人：株式会社東芝
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-195810 出願人：株式会社東芝
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-330762 出願人：株式会社東芝

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