記憶素子及びメモリ

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：角田芳末 , 伊藤仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-113538
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287923
出願日： 2006年04月17日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子を提供する。【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17を有し、この記憶層17に対して絶縁体から成る中間層16を介して磁化固定層31が設けられ、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層17の磁化M1の向きが変化して、記憶層17に対して情報の記録が行われ、記憶層17を構成する強磁性層の一部或いは全域にわたって微細な酸化物が分散している記憶素子3を構成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、前記記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられ、前記中間層が絶縁体から成り、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われ、前記記憶層を構成する強磁性層の一部或いは全域にわたって微細な酸化物が分散していることを特徴とする記憶素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (3件)：

H01L43/08 M , H01L27/10 447 , H01L43/08 Z

Fターム (52件)：

4M119AA01 , 4M119AA03 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD09 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD55 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF13 , 4M119FF16 , 4M119JJ03 , 5F092AA01 , 5F092AA04 , 5F092AA08 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB18 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB53 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC19 , 5F092BC33 , 5F092BE06 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092CA23 , 5F092CA25 , 5F092CA26 , 5F092EA06

引用特許：

出願人引用 (2件)

キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-203934 出願人：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
米国特許第6256223号明細書

審査官引用 (7件)

磁気素子、磁気メモリ装置、磁気抵抗効果ヘッド、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、及び磁気記録システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-256695 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-263251 出願人：株式会社東芝
洗車機
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-178308 出願人：エムケー精工株式会社

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