特許

J-GLOBAL ID：200903037890418470

半導体製造装置

発明者： 臼井 建人 ,  吉開 元彦 ,  城尾 和博 ,  小野 哲郎
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-241952
公開番号（公開出願番号）：特開2008-306219
出願日： 2008年09月22日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

【課題】 処理のスループットを向上させた半導体製造装置を提供する。【解決手段】 容器内に配置されその表面に形成された第1の膜とこの膜の上方に形成された第2の膜とを含む複数層の膜を有する半導体ウエハをこの容器内に発生させたプラズマを用いてエッチング処理する半導体製造装置であって、 前記第2の膜がエッチング処理される所定の間の前記ウエハ表面から得られる複数の波長の光の量の変化を検出する光検出器と、この検出器の出力から得られた特定の波形に基づいて前記第1の膜の厚さを検出する機能とを備えた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

容器内に配置されその表面に形成された第1の膜とこの膜の上方に形成された第2の膜とを含む複数層の膜を有する半導体ウエハをこの容器内に発生させたプラズマを用いてエッチング処理する半導体製造装置であって、 前記第2の膜がエッチング処理される所定の間の前記ウエハ表面から得られる複数の波長の光の量の変化を検出する光検出器と、この検出器の出力から得られた特定の波形に基づいて前記第1の膜の厚さを検出する機能と、を備えた半導体製造装置。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/302 103 ,  H01L21/302 301S

Fターム (4件)：

5F004AA16 ,  5F004CB02 ,  5F004CB09 ,  5F004DB02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• エッチング終点検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-346102   出願人：シャープ株式会社
• ドライ・エッチング終点監視方法およびそのための装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-073862   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, ソフィー・インストルメンツ
• 段差測定装置および段差測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-271601   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-275441   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (2件)

• 電子デバイスの製造の終点検出
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-610057   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-200121   出願人：株式会社東芝