特許
J-GLOBAL ID：200903037957075050

AlGaNの気相成長方法及び気相成長装置

発明者：
纐纈 明伯

纐纈 明伯 について

, 
熊谷 義直

熊谷 義直 について


出願人/特許権者：
農工大ティー・エル・オー株式会社

農工大ティー・エル・オー株式会社 について


代理人 (1件)： 伊藤 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-251810
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073578
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】 HVPE法のサファイア基板上又はSi基板上に、所望の組成比率xのAlxGa1-xNの結晶を成長させることができるエピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】 アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたHVPE法によって、AlxGa1-xNを結晶成長させる。この際、キャリアガスは、不活性ガスと水素からなり、この水素分圧を0以上0.1未満の範囲に置く。その結果、原料の供給比率と、成長させた結晶の組成比率との間の関係を線形なものにすることができ、結晶組成の制御性が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
アルミニウムの原料と、ガリウムの原料と、窒素の原料と、キャリアガスと、を混合したガス中に基板結晶を配置し、前記基板結晶上にAlGaNを結晶成長させる方法において、 前記キャリアガス中の水素分圧を0atmに設定することを特徴とするAlGaN結晶の気相成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 C ,  C30B29/38 D
Fターム (31件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030LA14 ,  5F045AA02 ,  5F045AB17 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045DA68
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (4件)
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