特許
J-GLOBAL ID：200903038430144173

半導体チップの製造方法

発明者：
有田 潔

有田 潔 について

, 
中川 顕

中川 顕 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 河宮 治 ,  和田 充夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-373022
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179768
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】 TEGが形成された半導体ウェハを、プラズマエッチングを用いて半導体チップの個片へと分割するとともに、効率的にTEGの除去を行う。【解決手段】 半導体チップの製造工程において、半導体ウェハの上記第1の面において、上記TEGと接触するように保護シートを貼り付ける保護シート貼付工程と、上記第1の面とは反対側の面である第2の面にマスクを配置するマスク配置工程と、上記第2の面よりプラズマエッチングを施して、上記分割領域に該当する部分を除去して、上記各々の素子形成領域を上記個々の半導体チップとして分割するプラズマエッチング工程と、上記分割された上記それぞれの半導体チップから、上記保護シートを剥がすことで、上記分割領域内に残存しかつ上記保護シートに貼り付けられた状態の上記TEGを、当該保護シートとともに除去するTEG除去工程とを行う。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
分割領域により画定される複数の素子形成領域内に配置された半導体素子と、上記分割領域内に配置されたTEG(テスト・エレメント・グループ)とが、その第1の面において形成された半導体ウェハに対して、上記分割領域において上記各々の素子形成領域を個別に分割して、個片化された上記半導体素子を含む半導体チップを製造する方法であって、 上記半導体ウェハの上記第1の面において、上記TEGと接触するように保護シートを貼り付ける保護シート貼付工程と、 上記第1の面とは反対側の面である第2の面に、上記分割領域を画定するためのマスクを配置するマスク配置工程と、 上記保護シートが貼り付けられかつ上記マスクが配置された上記半導体ウェハにおける上記第2の面よりプラズマエッチングを施して、上記分割領域に該当する部分を除去することにより、上記各々の素子形成領域を上記個々の半導体チップとして分割するプラズマエッチング工程と、 上記プラズマエッチング工程にて分割された上記それぞれの半導体チップから、上記保護シートを剥がすことで、上記分割領域内に残存しかつ上記保護シートに貼り付けられた状態の上記TEGの残部を、当該保護シートとともに除去するTEG除去工程と、を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/301
FI (2件)：
H01L21/78 S ,  H01L21/78 P
引用特許：
出願人引用 (8件)
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