特許
J-GLOBAL ID：200903038456356241
直交電流型スピンバルブ構造およびその製造方法、ならびに直交電流型デュアルスピンバルブ構造およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三反崎 泰司
, 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-057524
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260226
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】 超高密度記録に適用するために抵抗(RA)およびMR比を改善することが可能な直交電流型スピンバルブ構造を提供する。【解決手段】 シード層11から保護層27に至る一連の層のうち、シード層11、AFM層12、SyAPピンド層18のうちの結合層14および上部ピンド層41、ならびにフリー層25に酸素(O2 )を添加する。これらの酸素が添加されたシード層11、AF層12、結合層14、上部ピンド層41およびフリー層25は、酸素が添加されたアルゴン(Ar)ガスを使用してスパッタ成膜されることにより形成される。AFM層12において交換バイアス磁界が増加すると共に、再生特性に寄与する抵抗(RA)およびMR比が増加する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
直交電流(CPP;current-perpendicular-to-plane)型スピンバルブ構造を製造する方法であって、
基体上に、酸素添加シード層を形成する工程と、
前記酸素添加シード層上に、酸素添加反強磁性(AFM;anti-ferromagnetic)層を形成する工程と、
前記酸素添加反強磁性層上に、非酸素添加ピンド層、酸素添加結合層および酸素添加ピンド層をこの順に形成して積層させることにより、シンセティック反平行(SyAP;synthetic anti-parallel )ピンド層を形成する工程と、
前記シンセティック反平行ピンド層上に、銅(Cu)を含むようにスペーサ層を形成する工程と、
前記スペーサ層上に、酸素添加フリー層を形成する工程と、
前記酸素添加フリー層上に、銅を含むように保護下地層を形成すると共に、その保護下地層上に、保護層を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする直交電流型スピンバルブ構造の製造方法。
IPC (7件)：
H01L43/12
, G01R33/09
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
, H01F41/18
, H01L43/08
H01L43/12
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
, H01F41/18
, H01L43/08 Z
, G01R33/06 R
2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034DA07
, 5E049AA04
, 5E049BA25
, 5E049DB04
, 5E049DB14
, 5E049GC01
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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