特許
J-GLOBAL ID：200903038754854076

膜パターン形成方法、膜パターン、レジスト膜、及び絶縁膜、並びに回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイス、表面弾性波発振装置、電気光学装置、及び電子機器

発明者：
豊田 直之

豊田 直之 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-024980
公開番号（公開出願番号）：特開2006-212476
出願日： 2005年02月01日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】 液状材料が膜パターン形成領域から流出したり、領域外に濡れ広がることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法、膜パターン、レジスト膜、及び絶縁膜、並びに回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイス、表面弾性波発振装置、電気光学装置、及び電子機器を実現する。【解決手段】 基板1の面を撥液化処理し、液状材料の液滴4を、レジスト膜9を形成する領域2の周縁部に配置し、周縁帯膜7aを形成する。次に、基板1の面を親液化処理し、周縁帯膜7aに囲まれた領域内に液状材料を充填して中央膜8を形成し、周縁帯膜7aと中央膜8とで、レジスト膜9を形成する。絶縁膜も同様に形成する。回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイスは、上記方法で形成された膜を備え、電気光学装置は当該半導体装置を備え、電子機器は上記電気光学装置、回路基板、表面弾性波発振装置を備える。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に、膜パターンを所定の形状に形成する膜パターン形成方法であって、 前記基板の面を撥液性に処理する撥液化工程と、 前記膜パターンを形成する第1の領域の周縁領域に、前記膜パターンを構成する材料を含む液状体の液滴を配置して、配置された前記液滴からなる周縁帯を形成し、当該周縁帯が乾燥又は硬化した周縁帯膜を形成する周縁形成工程と、 前記基板の面を親液性に処理する親液化工程と、 前記周縁帯膜に囲まれた第2の領域に前記液滴を配置して、前記第2の領域に前記液状体を充填する充填工程と、を有することを特徴とする膜パターン形成方法。
IPC (3件)：
B05D 1/26 ,  H03H 3/08 ,  H05K 3/28
FI (3件)：
B05D1/26 Z ,  H03H3/08 ,  H05K3/28 B
Fターム (53件)：
4D075AC06 ,  4D075AC09 ,  4D075AC88 ,  4D075AC93 ,  4D075AC94 ,  4D075AE02 ,  4D075AE04 ,  4D075AE05 ,  4D075BB24Y ,  4D075BB24Z ,  4D075BB26Y ,  4D075BB26Z ,  4D075BB44Y ,  4D075BB46Y ,  4D075BB49Y ,  4D075CA23 ,  4D075CA36 ,  4D075CA37 ,  4D075CB38 ,  4D075DA06 ,  4D075DB14 ,  4D075DC19 ,  4D075DC22 ,  4D075EA07 ,  4D075EA45 ,  4D075EB13 ,  4D075EB14 ,  4D075EB16 ,  4D075EB22 ,  4D075EB32 ,  4D075EB33 ,  4D075EB35 ,  4D075EB38 ,  4D075EB39 ,  5E314AA31 ,  5E314BB06 ,  5E314BB13 ,  5E314CC06 ,  5E314DD01 ,  5E314DD08 ,  5E314EE01 ,  5E314FF03 ,  5E314FF05 ,  5E314FF14 ,  5E314GG24 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BE10 ,  5F058BF70 ,  5F058BJ04 ,  5J097AA28 ,  5J097DD29 ,  5J097HA03
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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