薄膜形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-298703
公開番号（公開出願番号）：特開平8-157295
出願日： 1994年12月01日
公開日（公表日）： 1996年06月18日
要約：

【要約】【目的】結晶構造、結晶方位などの異なる複数層の薄膜を低温下で形成する。【構成】真空排気された反応室8内に設置された試料台10の上に基板11が載置される。試料台10は、駆動装置35の働きで回転、傾斜が自在である。基板11上には、ガスセレクタ34で選択された反応ガスが供給されるとともに、ガスセレクタ32で選択されたガスがECRイオン発生器2の働きでビームとなって基板11へ照射される。このため、基板11上には反応ガスのプラズマCVD反応によって物質が堆積する中で、試料台10の姿勢で決まる所定の方向からのビームの照射を受ける。その結果、堆積しつつある物質が結晶化温度以下の比較的低温度下で容易に結晶化する。ビームを照射する方向によって、多結晶、軸配向多結晶、単結晶のいずれをも得ることが可能である。【効果】結晶構造、結晶方位などの異なる複数層の薄膜が低温下で形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に、所定の物質の多結晶薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記所定の物質の結晶化が起こらない低温度の下で、反応ガスを前記基板上に供給することによって前記所定の物質を前記基板上に堆積する過程の中で、前記所定の物質がスパッタリングを起こさない程度の低エネルギーの気体のビームを、前記基板上へ任意の複数方向から照射することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (5件)：

C30B 25/02 , B01J 19/08 , C23C 16/48 , C30B 29/06 504 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (12件)

薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-240561 出願人：日新電機株式会社
特開平2-082616
蒸着薄膜の単結晶化装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-306103 出願人：株式会社ニューラルシステムズ

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