特許
J-GLOBAL ID：200903038889380406

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
琵琶 剛志

琵琶 剛志 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-292428
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064247
出願日： 2003年08月12日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】 半導体発光素子の光取り出し効率を高めるとともに、当該半導体発光素子を形成する際の製造コストを低減する。【解決手段】 素子本体を構成するn型GaN層13をサファイア基板11から剥離する際に、予めサファイア基板11の主面に形成された側面17をn型GaN層13の剥離面に転写する。これにより、発光層とされるInGaN層14から出射される光が素子内部で殆ど全反射されることがなく、素子の光取り出し効率を高めることができる。さらに、このような素子形成に用いたサファイア基板11は素子本体が剥離されることにより殆ど損傷をうけないことから、サファイア基板11を繰り返し素子形成に用いることが可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所要の傾斜面を有する基板上に形成され、前記基板から剥離される際に前記傾斜面の形状を反映した面が形成されてなる結晶層と、 前記結晶層上に形成される発光層とを備えること を特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  H01L21/302 ,  H01S5/323
FI (4件)：
H01L33/00 C ,  H01L33/00 M ,  H01L21/302 201B ,  H01S5/323 610
Fターム (27件)：
5F004AA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB03 ,  5F004DB00 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA37 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA75 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB06 ,  5F073CB22 ,  5F073DA23 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
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