特許
J-GLOBAL ID:200903039193638227

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-226982
公開番号(公開出願番号):特開2009-268336
出願日: 2008年09月04日
公開日(公表日): 2009年11月12日
要約:
【課題】ダイオード内蔵IGBTを備えた半導体装置において、ダイオード素子とIGBT素子のゲート信号との干渉を回避してダイオードの順方向損失増加を防止する。【解決手段】メイン用のダイオード素子22aに流れる電流を電流検出用のダイオードセンス素子22bおよびセンス抵抗30にて検出する。他方、フィードバック回路部40にてセンス抵抗30の両端の電位差Vsがモニタされると共に、当該電位差Vsに基づいてダイオード素子22aに電流が流れているか否かが判定される。そして、ダイオード素子22aに電流が流れていると判定された場合、フィードバック回路部40からIGBT素子21aの駆動を停止させる停止信号がAND回路10に入力され、AND回路10にてIGBT素子21aの駆動が停止される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ダイオード素子(22a)とゲートに入力される駆動信号によって駆動されるIGBT素子(21a)とが同一の半導体基板に設けられてなるダイオード内蔵IGBT素子(20)と、 外部から入力した前記駆動信号を通過させて前記IGBT素子(21a)のゲートに入力するものであって、前記ダイオード素子(22a)に流れる電流を検出し、前記ダイオード素子(22a)に電流が流れていない場合、外部から入力される前記駆動信号の通過を許可する一方、前記ダイオード素子(22a)に電流が流れている場合、前記駆動信号の通過を停止するフィードバック手段(10、30、40)を備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (8件):
H02M 1/08 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/739 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/822
FI (9件):
H02M1/08 A ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 655Z ,  H01L29/78 657F ,  H01L27/08 331Z ,  H01L27/08 331F ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/04 H
Fターム (26件):
5F038AZ08 ,  5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH09 ,  5F038BH16 ,  5F038BH19 ,  5F038CA03 ,  5F038CA05 ,  5F038CA08 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AB03 ,  5F048AB10 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB02 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BD07 ,  5F048BH05 ,  5F048CB07 ,  5H740AA04 ,  5H740BA11 ,  5H740KK01 ,  5H740MM14 ,  5H740PP02
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • IGBT障害電流制限回路及び方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-065121   出願人:インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレイション
審査官引用 (8件)
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