特許
J-GLOBAL ID：200903039256105151
薄膜材料の形成方法および形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉本 勝徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-123630
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327905
出願日： 2003年04月28日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】低温で有毒ガス等を発生させることなく基板上に薄膜材料を形成することができる薄膜材料の形成方法および形成装置を提供することを目的としている。【解決手段】液体もしくは固体の材料をプラズマ中に挿入し、この材料表面に直流電圧もしくは交流電圧を印加することによってプラズマ中のイオンを照射し、スパッタリング現象により生じた材料粒子および/または材料粒子とプラズマ中のガス原子との反応生成物粒子を基板表面に堆積させる薄膜材料の形成方法において、基板をプラズマの高電子温度部分近傍に配置するとともに、基板近傍に、少なくともプラズマ中の高電子温度の流れが基板に接触しないように、基板の前面を横切る磁界をかけることを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
液体もしくは固体の材料をプラズマ中に挿入し、この材料表面に直流電圧もしくは交流電圧を印加することによってプラズマ中のイオンを照射し、スパッタリング現象により生じた材料粒子および/または材料粒子とプラズマ中のガス原子との反応生成物粒子を基板表面に堆積させる薄膜材料の形成方法において、
基板をプラズマの高電子温度部分近傍に配置するとともに、基板近傍に、少なくともプラズマ中の高電子温度の流れが基板に接触しないように、基板の前面を横切る磁界をかけることを特徴とする薄膜材料の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (21件)：
4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BA58
, 4K029CA06
, 4K029DA06
, 4K029DA10
, 4K029EA03
, 4K029EA08
, 5F045AA08
, 5F045AA19
, 5F045AB14
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AF03
, 5F045DP04
, 5F045EC01
, 5F045EE14
, 5F045EF14
, 5F045EH09
, 5F045EH16
, 5F045EH20
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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