特許
J-GLOBAL ID：200903039510896946
低抵抗窒化ガリウム系発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189885
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040890
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 電極の接触抵抗の低い窒化ガリウム系発光素子、特に窒化ガリウム系発光発光素子を実現する。【解決手段】 コンタクト層として窒化ガリウムよりも禁制帯エネルギーが小さいGaN1-xAsx(0.2≦x≦1)を用いる。コンタクト層材料は、少なくともp電極側に用いることが好ましい。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウムまたは窒化インジウムまたは窒化アルミニウムまたはそれらの混晶の層を少なくとも1層含む窒化ガリウム系発光素子において、n電極を構成し半導体に接する第1層としてインジウムを用いることを特徴とする窒化ガリウム系発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)
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