特許
J-GLOBAL ID：200903039591137874

低誘電率窒化ケイ素膜およびその形成方法、半導体装置およびその製造装置

発明者：
鄭 基市

鄭 基市 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-521345
公開番号（公開出願番号）：特表2004-507108
出願日： 2001年08月16日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
窒化ケイ素膜の形成方法は、有機シラザン結合を有する有機Si化合物を原料に使ったCVDプロセスを含む。CVDプロセスは有機Si原料中の有機シラザン結合が窒化ケイ素膜中において維持されるような条件で行われる。
請求項（抜粋）：
反応室中に半導体基板を導入する工程と、 前記反応室中に、有機シラザン結合を有する有機Si化合物を気相原料として供給する工程と、 前記反応室中において、前記半導体基板表面に、前記有機Si化合物の気相原料から、Si,N,C,Hを主なる含有元素とするSiNCH膜を、CVD法により堆積する工程とを含むことを特徴とする窒化ケイ素膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768
FI (3件)：
H01L21/318 B ,  H01L21/31 C ,  H01L21/90 J
Fターム (58件)：
5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR25 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04 ,  5F045EF05 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (6件)
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