特許
J-GLOBAL ID：200903039841499360
蛍石の製造方法及び光リソグラフィー用の蛍石
発明者：
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出願人/特許権者：
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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-045541
公開番号（公開出願番号）：特開平11-240798
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 複屈折が充分に小さくて、光リソグラフィーにおける光学系に使用可能な蛍石単結晶が得られ、特に波長250nm以下の光リソグラフィーに使用可能な大口径(φ200mm以上)で光学特性が良好な蛍石単結晶が得られる蛍石単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】 気密化可能な容器内に蛍石単結晶を収納して前記容器を密閉し、前記容器内を真空排気した後に、前記容器の外側に設けられたヒーターにより加熱して、容器内温度を前記蛍石単結晶の融点よりも低い所定温度(第1温度)まで昇温させる工程と、前記容器内温度を前記所定温度(第1温度)に所定の時間、保持する工程と、前記容器内温度を室温まで降温する工程と、により蛍石単結晶を熱処理することで光学特性を向上させた蛍石単結晶を製造する方法において、熱処理の最高温度を1020〜1150°Cの範囲にある所定温度(第1温度)としたことを特徴とする蛍石単結晶の製造方法。
請求項（抜粋）：
気密化可能な容器内に蛍石単結晶を収納して前記容器を密閉し、前記容器内を真空排気した後に、前記容器の外側に設けられたヒーターにより加熱して、容器内温度を前記蛍石単結晶の融点よりも低い所定温度(第1温度)まで昇温させる工程と、前記容器内温度を前記所定温度(第1温度)に所定の時間、保持する工程と、前記容器内温度を室温まで降温する工程と、により蛍石単結晶を熱処理することで光学特性を向上させた蛍石単結晶を製造する方法において、熱処理の最高温度を1020〜1150°Cの範囲にある所定温度(第1温度)としたことを特徴とする蛍石単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/22
, C30B 33/02
, H01L 21/027
C30B 29/22 C
, C30B 33/02
, H01L 21/30 515 D
