特許
J-GLOBAL ID：200903040010438303

垂直共振器型面発光半導体レーザ装置および光スイッチング方法および光送信モジュールおよび光伝送装置

発明者：
高橋 孝志

高橋 孝志 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-062294
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245473
出願日： 2005年03月07日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 活性層のキャリア密度変動を抑制し、従来よりも高速変調可能な垂直共振器型面発光半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 活性層104は第1の共振器内において中央に位置するように形成されている。また、光吸収層107は、n型Al0.2Ga0.8As第1共振器上部スペーサ層105の上端とp型Al0.2Ga0.8As第2共振器スペーサ層109の下端から等しい距離に位置するように形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、第1の多層膜反射鏡、第1の共振器、第2の多層膜反射鏡、第2の共振器、第3の多層膜反射鏡が順次に形成され、第1の共振器と第2の共振器の少なくも一方に活性層が設けられた垂直共振器型面発光半導体レーザ装置であって、該垂直共振器型面発光半導体レーザ装置は異なる二つの共振波長を有しており、第2の多層膜反射鏡中において第1の共振器と第2の共振器から等距離の位置には光吸収層が設けられ、該光吸収層に印加する電界を変調することによって、レーザ発振波長を二つの共振波長間でスイッチング動作させるように構成されていることを特徴とする垂直共振器型面発光半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/026 ,  G02F 1/015 ,  H01S 5/183
FI (4件)：
H01S5/026 616 ,  H01S5/026 610 ,  G02F1/015 505 ,  H01S5/183
Fターム (29件)：
2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079KA18 ,  5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC24 ,  5F173AC26 ,  5F173AC52 ,  5F173AC61 ,  5F173AC63 ,  5F173AD06 ,  5F173AD10 ,  5F173AD13 ,  5F173AF20 ,  5F173AG21 ,  5F173AH02 ,  5F173AH03 ,  5F173AH04 ,  5F173AR23 ,  5F173AR36 ,  5F173AR61 ,  5F173AR93 ,  5F173AR94 ,  5F173AS10 ,  5F173MA02 ,  5F173MF12
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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