半導体発光素子及びそれを作製するための半導体発光素子用エピタキシャルウェハ

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-284743
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056973
出願日： 2003年08月01日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】ピエゾ分極による電子・正孔の空間的分離を抑制し、発光効率の高い半導体発光素子を得ること。【解決手段】半導体の極性を有する面上に1つあるいは多数の歪入り量子井戸4を活性層に有する半導体発光素子において、上記量子井戸4内の半導体材料のバンドギャップが量子井戸界面と垂直方向に断続的または連続的に変更されていて、これにより、上記量子井戸4内の歪によるバンドの傾きが、価電子帯または伝導帯において弱められているか、打ち消されているか、あるいは、価電子帯または伝導帯において逆方向のバンドの傾きが導入されている構造とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体の極性を有する面上に1つあるいは多数の歪入り量子井戸を活性層に有する半導体発光素子であり、上記量子井戸内の半導体材料のバンドギャップが量子井戸界面と垂直方向に断続的または連続的に変更されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 A , H01L33/00 C

Fターム (10件)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA21 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA60

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-149842 出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (7件)

勾配組成活性領域を有する発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-215461 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-082510 出願人：三洋電機株式会社
半導体レーザーダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-274357 出願人：株式会社金星社

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