特許
J-GLOBAL ID：200903040309769381

フォトレジスト用反射防止膜材料組成物

発明者：
水谷 一良

水谷 一良 について

, 
百田 淳

百田 淳 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-270042
公開番号（公開出願番号）：特開2000-098595
出願日： 1998年09月24日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】露光に用いられる波長の光に対して吸光度が高い反射防止膜が形成され、基板からの反射により発生する定在波の悪影響を低減することができ、その結果、フォトレジストの限界解像力が向上し、良好なレジストプロファイルが得られるフォトレジスト用反射防止膜材料組成物及びそれを用いたレジストパターン形成法を提供すること。【解決手段】フォトレジストを露光する波長の光に対して、1.0×104 以上のモル吸光係数を有する色素構造が存在する高分子、酸により活性化され、上記(a)と反応して架橋構造を形成することができる熱架橋剤、分解して酸を発生し始める温度が150〜200°Cであり、熱により酸を発生する化合物、有機溶剤を含有するフォトレジスト用反射防止膜材料組成物。
請求項（抜粋）：
下記(a)、(b)、(c)及び(d)成分を含有することを特徴とするフォトレジスト用反射防止膜材料組成物。(a)フォトレジストを露光する波長の光に対して、1.0×104 以上のモル吸光係数を有する色素構造が存在する高分子(b)酸により活性化され、上記(a)成分と反応して架橋構造を形成することができる熱架橋剤(c)熱により分解して酸を発生し、分解して酸を発生し始める温度が150〜200°Cである、スルホン酸エステル化合物及び/又はジアリールヨードニウム塩(d)上記(a)〜(c)成分を溶解することができる有機溶剤
IPC (4件)：
G03F 7/004 506 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/004 506 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/30 574
Fターム (13件)：
2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025DA34 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  5F046CA04 ,  5F046PA08 ,  5F046PA09
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • 岩波 理化学辞典, 19920720, 第4版第7刷, p.250

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