有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-326024
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140180
出願日： 2004年11月10日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：

【課題】有用な有機TFT材料を分子設計し、キャリア移動度が高く、ON/OFF特性が良好であり、且つ、高耐久性を併せ持つ有機TFTを提供し、また、それらを用いてスイッチング特性の良好なスイッチング素子を提供する。【解決手段】下記一般式(1)または(2)で表される化合物を含有し、且つ、該一般式(1)または(2)で表される化合物が、分子内に交差共役可能な、少なくとも3つの不飽和結合を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ材料。【化1】〔式中、Aは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、=N(R1)基、または、=CR2R3基を表し、R1、R2、R3は、各々水素原子または置換基を表す。Zは、縮合環を形成してもよい炭化水素環を表す。〕【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)または(2)で表される化合物を含有し、且つ、該一般式(1)または(2)で表される化合物が、分子内に交差共役可能な、少なくとも3つの不飽和結合を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ材料。

IPC (2件)：

H01L 51/05 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/28 , H01L29/78 618B

Fターム (44件)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB10 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (10件)

有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-215748 出願人：旭化成工業株式会社
米国特許出願公開第2003/0105365号明細書
ダイオード素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-316710 出願人：松下技研株式会社

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