特許

J-GLOBAL ID：200903041500013692

ドライエッチング方法及びその方法を用いて作製されたフォトニック結晶素子

発明者： 鈴木 晃子 ,  佐藤 明伸 ,  ブーレル エマニュエル ,  松尾 二郎 ,  瀬木 利夫 ,  青木 学聡
出願人/特許権者： 日本航空電子工業株式会社
代理人 (2件)： 草野 卓 ,  稲垣 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-416438
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175369
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】 側壁ラフネスが極めて小さく、かつ高い垂直加工精度が得られるドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 原子あるいは分子が凝集したクラスターをイオン化して加速し、そのクラスターイオンビームを物質表面に照射することにより、物質表面の構成原子をエッチング除去するドライエッチング方法において、クラスターを2種類以上の原子あるいは分子が凝集してなる混成クラスター42とし、その混成クラスター42にAr,Ne,Xe,Krの中から選択された少なくとも1種類の原子と、上記物質表面との反応により堆積して薄膜を形成する成分とが含まれているものとする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

原子あるいは分子が凝集したクラスターをイオン化して加速し、そのクラスターイオンビームを物質表面に照射することにより、物質表面の構成原子をエッチング除去するドライエッチング方法において、 上記クラスターが2種類以上の原子あるいは分子が凝集してなる混成クラスターとされ、 その混成クラスターに、Ar,Ne,Xe,Krの中から選択された少なくとも1種類の原子と、上記物質表面との反応により堆積して薄膜を形成する成分とが含まれていることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (1件)：

H01L21/302

FI (1件)：

H01L21/302 201B

Fターム (13件)：

5F004BA11 ,  5F004BA20 ,  5F004DA01 ,  5F004DA14 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB20 ,  5F004EA05 ,  5F004EA13

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 特許第2639158号公報
  
• ドライエツチング方法及びそのための装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-260376   出願人：株式会社東芝
• 基板を異方性プラズマエッチングする方法および装置、および電子部品またはセンサー素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-113057   出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• 半導体基盤の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-206672   出願人：サーフィステクノロジーシステムズリミテッド
• 特許第3393461号公報
  
• ガスクラスターイオンビームによる 超精密研磨加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-262910   出願人：新技術事業団, 安達新産業株式会社

審査官引用 (1件)

• 表面処理方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-281039   出願人：株式会社日立製作所