特許
J-GLOBAL ID:200903041624936888

超伝導体放射線センサーシステム

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-217812
公開番号(公開出願番号):特開2004-061212
出願日: 2002年07月26日
公開日(公表日): 2004年02月26日
要約:
【課題】X線からγ線までの波長領域の光子に対して、エネルギー高分解能でかつ撮像を可能とする高検出効率で高速の超伝導体撮像放射線センサーシステムを提供すること、また紫外線から赤外線までの広い波長領域の光に対して感度の波長依存性が小さく、且つ高速および高感度の放射線センサーシステムを提供することを課題とする。【解決手段】X線、γ線などのいわゆる放射線を単結晶基板に吸収させてエネルギーを非平衡フォノンに変換し、当該基板の表面に複数の超伝導直列接合を設けて信号を取り出し、放射線の入射位置を求めると同時に信号の大きさの入射位置依存性を補正することによって、大面積かつ高位置分解能で高感度および高速とする。また、いわゆる光に対しては、光吸収体に光を吸収させ、光子のエネルギーを非平衡フォノンに変換して超伝導直列接合で信号を発生させることにより、感度の波長依存性が小さく、且つ高速および高感度とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
超伝導トンネル接合を用いた放射線センサーシステムにおいて、超伝導トンネル接合とは別に光を吸収してフォノンに変換する光吸収体を基板表面に有し、また絶縁体あるいは半導体の単結晶の基板表面上に少なくとも6個の超伝導トンネル接合を直列に接続して構成した超伝導直列接合をフォノンセンサーとし、光吸収体/フォノン伝搬単結晶体/超伝導直列接合から構成されたことを特徴とする超伝導体放射線センサー。
IPC (4件):
G01T1/24 ,  H01L31/09 ,  H01L39/04 ,  H01L39/22
FI (4件):
G01T1/24 ,  H01L39/04 ,  H01L39/22 D ,  H01L31/00 A
Fターム (32件):
2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088GG22 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  4M113AA03 ,  4M113AA04 ,  4M113AA14 ,  4M113AA17 ,  4M113AA25 ,  4M113AC22 ,  4M113AD18 ,  4M113CA13 ,  4M113CA42 ,  4M114AA19 ,  4M114CC16 ,  4M114DA05 ,  4M114DA33 ,  5F088AA20 ,  5F088AB01 ,  5F088BA01 ,  5F088BA07 ,  5F088BA20 ,  5F088BB03 ,  5F088BB06 ,  5F088BB10 ,  5F088DA20 ,  5F088EA04 ,  5F088EA06 ,  5F088GA02 ,  5F088LA07 ,  5F088LA09
引用特許:
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (14件)
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引用文献:
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