特許

J-GLOBAL ID：200903041630669123

サーボ式静電容量型真空センサ

発明者： 菊地 俊雄 ,  宮下 治三 ,  葭村 昭子
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305517
公開番号（公開出願番号）：特開2001-124643
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 内部空間に被測定気体を導入する時間が短縮化され応答性が良好であり、広範囲の圧力測定を行えるサーボ式静電容量型真空センサを提供する。【解決手段】 シリコン基板12を第1ガラス基板13と第2ガラス基板14の間に配置して三層構造を有する。シリコン基板は電極部20を備え、電極部と第1ガラス基板の間には第1内部空間S1が形成され、電極部20と第2ガラス基板14の間には第2内部空間S2が形成される。電極部は気体導入口15から第1内部空間に導入された気体の圧力を受ける。電極部の可動電極21に接近して対向するサーボ電極16が設けられ、サーボ電極の凸部先端面には、可動電極・サーボ電極の間の間隙のコンダクタンスを高める溝52が形成される。

請求項（抜粋）：

電極用基板を、絶縁性と高剛性を有する第1基板と第2基板の間に配置し、前記電極用基板と前記第1基板、前記電極用基板と前記第2基板をそれぞれ接合して三層構造を形成し、前記電極用基板は電極部を備え、前記電極部と前記第1基板の間には気体導入口を通して外部と通じる第1内部空間が形成され、前記電極部と前記第2基板の間には高真空状態に保持される第2内部空間が形成され、前記電極部は前記気体導入口から前記第1内部空間に導入された気体の圧力を受け、前記電極部は、前記気体の圧力を受けて変位する可動電極と、前記可動電極の周囲に前記可動電極を支持するように形成されかつ前記気体の圧力を受けても変位しない周囲電極とからなり、前記可動電極の前記第2内部空間側の面と前記周囲電極の前記第2内部空間側の面は同一面として形成され、前記第2基板における前記第2内部空間側の面に、前記可動電極に対向する固定電極と、前記周囲電極に対向する参照電極を設け、前記第1基板における前記第1内部空間側の面に、前記可動電極に接近して対向するサーボ電極を設け、さらに前記可動電極に対向する前記サーボ電極の表面に溝を設けた、ことを特徴とするサーボ式静電容量型真空センサ。

IPC (2件)：

G01L 7/00 ,  G01L 9/12

FI (2件)：

G01L 7/00 J ,  G01L 9/12

Fターム (12件)：

2F055AA40 ,  2F055BB01 ,  2F055BB08 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055DD07 ,  2F055EE05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF07 ,  2F055FF11 ,  2F055FF17 ,  2F055GG11

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 静電容量型圧力センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-293171   出願人：オムロン株式会社
• 半導体加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-082016   出願人：オムロン株式会社
• 静電容量式加速度センサ及びエアバツグシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-184595   出願人：株式会社日立製作所
• 慣性力センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-231301   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 真空センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-134333   出願人：株式会社リケン, 江刺正喜
• 静電容量式センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-139480   出願人：オムロン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Vacuum-Sealed Silicon Micromachined Pressure Sensors