エッチング用組成物及びエッチング処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (7件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-069023
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311316
出願日： 2005年03月11日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】酸化ケイ素等の半導体材料にダメージがなく、ハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート等のハフニウム化合物を選択的にエッチングでき、なおかつ難燃性で安全に用いることができるエッチング用組成物及びエッチング処理方法を提供する。【解決手段】フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、四フッ化ケイ素、ヘキサフルオロケイ酸等のフッ化物、及び塩化水素酸、塩化アンモニウム等の塩化物を含んでなるエッチング用組成物を用いる。さらにリン酸、有機物を含んでも良い。【選択図】なし

請求項（抜粋）：