特許
J-GLOBAL ID：200903041906053997

エピタキシャル基板およびIII族窒化物層群の転位低減方法

発明者：
柴田 智彦

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田中 光浩

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角谷 茂明

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出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-136792
公開番号（公開出願番号）：特開2004-345868
出願日： 2003年05月15日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】低転位で結晶性に優れたIII族窒化物層群、特にはAlを含有する窒化物層群を形成することのできる、新規なエピタキシャル基板、及び形成すべきIII族窒化物層群の転位低減方法を提供する。【解決手段】所定の基材上において、少なくともAlを含み、転位密度が1×1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が200秒以下であるIII族窒化物下地層2、及び少なくとも融点1300°C以上の遷移金属を含む単結晶の中間層3、およびIII族窒化物層群4とを含むエピタキシャル基板10を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所定の基材と、 前記基材上に形成された、転位密度が1×1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が200秒以下である、少なくとも全III族元素に対して50原子%以上のAlを含むIII族窒化物下地層と、 前記III族窒化物下地層上に形成された、融点1300°C以上の遷移金属を含む中間層と、 前記融点1300°C以上の遷移金属を含む中間層上に形成された、少なくともAlを含み、転位密度が1×1010/cm2以下であるIII族窒化物層群を具えることを特徴とするエピタキシャル基板。
IPC (1件)：
C30B29/38
FI (1件)：
C30B29/38 C
Fターム (6件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077DB01 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077TC14
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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