特許
J-GLOBAL ID:200903042112333142
リソグラフィ-用の粒子-光学的画像形成装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 稔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-291237
公開番号(公開出願番号):特開2000-164508
出願日: 1999年10月13日
公開日(公表日): 2000年06月16日
要約:
【要約】【課題】 リソグラフィー用の粒子-光学的画像形成装置の画像形成特性を改善する。【解決手段】 リソグラフィー用の粒子-光学的画像形成装置は、粒子ビーム(ts)を生成する粒子供給源(QL)及び第一静電レンズ系を有する照射ユニット(BS)と、マスク(MF)を粒子ビーム(ts)の経路に配置するためのマスク保持装置(MH)と、マスク(MF)のパターンの画像を基板(SB)面に形成するための第二静電レンズ系(PL)を有する投影ユニット(PS)と、をその光軸にそって備えている。第二静電レンズ系は、マスク保持装置(MH)の一側にポストマスク電極(NE)を備え、異なる静電電位がポストマスク電極(NE)とマスク(MF)に印加される。また、第一静電レンズ系は、マスク保持装置(MH)の他側にプレマスク電極(VE)を備え、そのプレマスク電極(VE)には、マスク(MF)の電位とは少なくと異なる電位が印加されるように構成されている。
請求項(抜粋):
実質的にテレセントリック状又は共心状の粒子ビーム(ts)を生成する粒子供給源(QL)及び第一静電レンズ系を有する照射ユニット(BS)と、粒子ビーム(ts)を透過させるパターンを有するマスク(MF)を、粒子ビーム(ts)の経路に配置するためのマスク保持装置(MH)と、粒子ビーム(ts)によって、基板(SB)面に、マスク(MF)のパターンの画像を形成するための第二静電レンズ系(PL)を有する投影ユニット(PS)と、をその光軸にそって備えており、第二静電レンズ系が、そのマスク保持装置(MH)に対面する側に、環状電極の形態の少なくとも一つのポストマスク電極(NE)を備え、異なる静電電位がポストマスク電極(NE)とマスク(MF)に印加され、マスク(MF)が、制御格子電極として機能し、かつポストマスク電極(NE)とともに負の屈折力を有する制御格子レンズを形成するように構成したリソグラフィー用の粒子-光学的画像形成装置(IP)であって、第一静電レンズ系が、そのマスク保持装置(MH)に対面する側に、環状電極の形態の少なくとも一つのプレマスク電極(VE)を備え、そのプレマスク電極(VE)には、マスク(MF)の電位とは少なくと異なる電位が印加され、プレマスク電極(VE)がマスク(MF)とともに負の屈折力を有する制御格子レンズを形成することを特徴とするリソグラフィー用の粒子-光学的画像形成装置。
IPC (3件):
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
, H01J 37/305
FI (3件):
H01L 21/30 541 S
, G03F 7/20 504
, H01J 37/305 B
引用特許:
出願人引用 (8件)
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粒子ビーム、特にイオンの光学像投影システム
公報種別:公表公報
出願番号:特願平7-518727
出願人:アイエムエスイオネンマイクロファブルカティオンズシステメゲーエムベーハー
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荷電粒子の投影システム
公報種別:公表公報
出願番号:特願平7-518728
出願人:アイエムエスイオネンマイクロファブルカティオンズシステメゲーエムベーハー
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投影リソグラフィー装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-240377
出願人:イー.エム.エス.イオネン-ミクロファブリカショーンズズィステーメゲーエムベーハー
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パターンイオンビーム投射装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-043825
出願人:株式会社日立製作所
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粒子、とくにイオン光学描写装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-070341
出願人:イーエムエスイオーネンミクロファブリカチオンスジステーメゲゼルシャフトミトベシュレンクテルハフツング
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特開昭58-155637
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荷電粒子線露光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-228892
出願人:株式会社ニコン
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特開平4-226021
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審査官引用 (8件)
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粒子ビーム、特にイオンの光学像投影システム
公報種別:公表公報
出願番号:特願平7-518727
出願人:アイエムエスイオネンマイクロファブルカティオンズシステメゲーエムベーハー
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荷電粒子の投影システム
公報種別:公表公報
出願番号:特願平7-518728
出願人:アイエムエスイオネンマイクロファブルカティオンズシステメゲーエムベーハー
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投影リソグラフィー装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-240377
出願人:イー.エム.エス.イオネン-ミクロファブリカショーンズズィステーメゲーエムベーハー
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パターンイオンビーム投射装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-043825
出願人:株式会社日立製作所
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粒子、とくにイオン光学描写装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-070341
出願人:イーエムエスイオーネンミクロファブリカチオンスジステーメゲゼルシャフトミトベシュレンクテルハフツング
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特開昭58-155637
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荷電粒子線露光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-228892
出願人:株式会社ニコン
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特開平4-226021
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