半導体基板上の無機残滓を洗浄するための銅に対し特異な腐食防止剤を含む水性洗浄用組成物

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 田中克郎 , 大賀眞司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-538301
公開番号（公開出願番号）：特表2005-507166
出願日： 2002年10月17日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

フッ化物源1〜35重量%源と、有機アミン20〜60重量%と、例えば、窒素含有カルボン酸またはイミンの窒素化合物0.1〜40重量%と、水20〜50重量%と、金属キレート剤0〜21重量%とを含有する半導体ウエハ洗浄用配合物である。この配合物は、レジストのプラズマアッシング工程後に、脆弱な銅配線構造を有する半導体ウエハから無機残滓等の残滓をウエハから除去するのに有益である。

請求項（抜粋）：

有機アミンと、フッ化物源と、70%〜98%の水とを含む、CMP後洗浄用配合物。

IPC (6件)：

H01L21/304 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/60

FI (8件)：

H01L21/304 622Q , H01L21/304 647A , H01L21/304 647Z , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/60

Fターム (16件)：

4H003DA15 , 4H003EA05 , 4H003EA23 , 4H003EB07 , 4H003EB08 , 4H003EB09 , 4H003EB12 , 4H003EB13 , 4H003EB14 , 4H003EB17 , 4H003EB19 , 4H003EB20 , 4H003EB21 , 4H003ED02 , 4H003FA07 , 4H003FA28

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-282863 出願人：日本電気株式会社
半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-286437 出願人：ジェイエスアール株式会社
基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-236082 出願人：株式会社カイジョー

全件表示

前のページに戻る