特許
J-GLOBAL ID：200903063653760407
基板処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
羽切 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101039
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299300
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 基板の裏面に付着している汚染物質を、基板の表面に何ら影響を与えることなく、完全に除去できる基板処理方法を提供する。【解決手段】 基板1に対して有機アルカリ性処理液による処理を行う第1の工程Aと、第1の工程Aで処理した基板1に対して有機酸性処理液による処理を行う第2の工程Bと、第2の工程Bで処理した基板1の表面に純水を供給して液膜を形成しつつ、基板1の裏面に高酸化力処理液を供給して回転しながら洗浄する第3の工程Cと、第3の工程Cで処理した基板1の超音波洗浄及び乾燥を行う第4の工程Dとを有する。
請求項（抜粋）：
表面に金属材料が露出した状態の金属配線を有する基板に研磨液を供給して化学的機械的研磨処理を行い、該化学的機械的研磨処理後の前記基板を処理する基板処理方法であって、前記金属材料に対して非反応性の有機アルカリと、前記金属材料の粒子及び前記研磨液に含まれる金属と錯体を形成する錯化剤とを含む有機アルカリ性処理液により前記基板を洗浄する第1の工程と、前記第1の工程の後に、前記金属材料に対して非反応性の有機酸と、前記金属材料の粒子及び前記研磨液に含まれる金属と錯体を形成する錯化剤とを含む有機酸性処理液により前記基板を洗浄する第2の工程と、前記第2の工程の後に、前記金属配線を有する基板の表面に純水を供給して液膜を形成し、基板の裏面には汚染物質を除去する高酸化力処理液を供給して回転しながら洗浄する第3の工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
IPC (10件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304 643
, H01L 21/304 644
, H01L 21/304 647
, H01L 21/304
, H01L 21/304 651
, B08B 3/02
, B08B 3/08
, B08B 3/12
, H01L 21/308
H01L 21/304 622 Q
, H01L 21/304 643 D
, H01L 21/304 644 C
, H01L 21/304 647 A
, H01L 21/304 647 Z
, H01L 21/304 651 B
, B08B 3/02 B
, B08B 3/08 Z
, B08B 3/12 A
, H01L 21/308 G
3B201AA03
, 3B201AB01
, 3B201AB34
, 3B201AB42
, 3B201BA02
, 3B201BA15
, 3B201BB22
, 3B201BB83
, 3B201BB92
, 3B201BB93
, 3B201BB94
, 3B201BB95
, 3B201BB96
, 3B201CC01
, 3B201CC12
, 3B201CC13
, 5F043BB27
, 5F043DD16
, 5F043DD19
, 5F043GG10
