特許
J-GLOBAL ID：200903042374183885

プラズマ処理装置

発明者：
河野 雄一

河野 雄一 について

, 
嶋津 正

嶋津 正 について

, 
西森 年彦

西森 年彦 について

, 
吉田 和人

吉田 和人 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について


代理人 (4件)： 光石 俊郎 ,  光石 忠敬 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-426648
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191023
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 パーティクルの発生を抑制すると共に、クリーニング処理の負担を軽減した薄膜作製装置を提供する。【解決手段】 真空チャンバ1の内部にガスノズル14からガス13を供給すると共に、高周波アンテナ7に給電して当該ガス13をプラズマ化して、基板6に薄膜15を成膜する薄膜作製装置において、薄膜成分が真空チャンバ1の内壁面に付着しないようにセラミックス製の内筒20を、真空チャンバ1との接触面積が小さくなるようにして設ける。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
チャンバの内部に反応ガスを含むガスを供給するガス供給手段と、 前記チャンバの内圧を制御する圧力制御手段と、 前記チャンバの内部に前記ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、 前記チャンバ内の下方に設置され、処理対象となる基板を支持する支持台とを有するプラズマ処理装置において、 前記チャンバの内部に設けられ、プラズマ処理による生成物の前記チャンバの内壁面への付着を防止する壁面保護部材を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L21/31 ,  C23C16/44
FI (2件)：
H01L21/31 C ,  C23C16/44 J
Fターム (20件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA04 ,  4K030JA10 ,  4K030KA12 ,  4K030KA22 ,  4K030KA46 ,  4K030KA47 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB15 ,  5F045BB15 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EC01 ,  5F045EC05 ,  5F045EH11 ,  5F045EK24
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM