特許
J-GLOBAL ID：200903042470723394

結晶性半導体膜の製造方法、結晶化装置及びTFTの製造方法

発明者：
瀧澤 裕

瀧澤 裕 について

, 
堀 哲郎

堀 哲郎 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-308474
公開番号（公開出願番号）：特開2001-126987
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 粒径が大きい結晶からなる結晶性半導体膜を比較的容易に形成することができて、トランジスタ特性が優れたTFTを製造できる結晶性半導体膜の製造方法及びその製造方法において使用する結晶化装置を提供する。【解決手段】 アモルファスシリコン膜が形成されたガラス基板15に、粒径が大きい結晶を形成可能な第1のエネルギーE1のレーザビームを照射する。これにより、大きな結晶が形成されるとともに、微結晶が生成される。次に、E1よりも低く、かつ微結晶を溶融して再結晶化することができる第2のエネルギーE2のレーザビームを照射する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された半導体膜に、粒径が大きい半導体結晶を形成可能な第1のエネルギーE1の光を走査しながら1回以上照射する第1の照射工程と、前記半導体膜に、前記第1のエネルギーE1よりも低く、かつ、前記第1の照射工程で生成された微結晶を再結晶化可能な第2のエネルギーE2の光を照射する第2の照射工程とを有することを特徴とする結晶性半導体膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 21/20 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (70件)：
5C094AA25 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094FA01 ,  5C094FB03 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045CA15 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F045EB13 ,  5F045EN04 ,  5F045HA18 ,  5F045HA24 ,  5F052AA11 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052FA19 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD24 ,  5F110EE03 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ23
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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