特許
J-GLOBAL ID：200903042883641590
積層ウェーハの加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐々木 功
, 川村 恭子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-345691
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116614
出願日： 2003年10月03日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】既存の加工装置を用い、積層ウェーハを構成する半導体ウェーハの品質を低下させずに研削を行って所望の厚さに形成できるようにする。【解決手段】少なくとも第一の半導体ウェーハ1の上面に第二の半導体ウェーハ2が積層された積層ウェーハ3を加工する場合において、第二の半導体ウェーハ2の外周に形成された面取り部20を除去した後に、第二の半導体ウェーハ2の上面を研削して所定の厚さに形成する。第一の半導体ウェーハ1は加工しないため全体の外径は加工前と同様であり、面取り部20を除去してから研削することにより外周が鋭角形状にならず、欠けが生じにくくなる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
少なくとも外周が面取りされた第一の半導体ウェーハの上面に外周が面取りされた第二の半導体ウェーハが積層された積層ウェーハを加工する積層ウェーハの加工方法であって、
該第二の半導体ウェーハの外周に形成された面取り部を除去する面取り部除去工程と、
該第二の半導体ウェーハの上面を研削して該第二の半導体ウェーハを所定の厚さに形成する研削工程と
から少なくとも構成される積層ウェーハの加工方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/304 622W
, H01L21/304 621E
, H01L21/304 631
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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