特許
J-GLOBAL ID:200903043125454662
多孔性シリカ膜、それを有する積層基板、それらの製造方法およびエレクトロルミネッセンス素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉村 俊一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-348812
公開番号(公開出願番号):特開2004-182491
出願日: 2002年11月29日
公開日(公表日): 2004年07月02日
要約:
【課題】耐アルカリ水性に優れると共に、長期信頼性と光取り出し効率のよい積層基板、その製造方法およびエレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】屈折率が1.10〜1.35であり、表面から深さ100nm以内の表層領域に0〜10nm径の空孔を有する緻密層が5〜100nmの厚さで存在する多孔性シリカ膜により、上記課題を解決した。また積層基板は、基板上に上記多孔性シリカ膜を形成して得ることができ、エレクトロルミネッセンス素子は、上記積層基板を有し、その積層基板上に透明電極、エレクトロルミネッセンス層および陰極をこの順で積層して得ることができる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
屈折率が1.10〜1.35であり、表面から深さ100nm以内の表層領域に0〜10nm径の空孔を有する緻密層が5〜100nmの厚さで存在することを特徴とする多孔性シリカ膜。
IPC (5件):
C01B33/12
, B32B9/00
, C03C17/34
, H05B33/02
, H05B33/14
FI (5件):
C01B33/12 C
, B32B9/00 A
, C03C17/34 Z
, H05B33/02
, H05B33/14 A
Fターム (62件):
3K007AB03
, 3K007AB08
, 3K007AB11
, 3K007AB12
, 3K007AB15
, 3K007CA01
, 3K007CA05
, 3K007CB01
, 3K007DB03
, 4F100AA05
, 4F100AA20A
, 4F100AB10
, 4F100AG00
, 4F100AR00C
, 4F100AR00D
, 4F100AT00B
, 4F100BA02
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100BA10D
, 4F100BA42
, 4F100DJ10A
, 4F100EH112
, 4F100EH462
, 4F100EH66
, 4F100EJ082
, 4F100GB41
, 4F100JA20A
, 4F100JB01
, 4F100JG01C
, 4F100JG10D
, 4F100JM02
, 4F100JN01B
, 4F100JN01C
, 4F100JN18A
, 4F100YY00A
, 4G059AA08
, 4G059AC08
, 4G059AC12
, 4G059CB05
, 4G059GA01
, 4G059GA05
, 4G059GA12
, 4G072BB09
, 4G072BB15
, 4G072HH30
, 4G072KK01
, 4G072KK03
, 4G072KK15
, 4G072KK17
, 4G072KK20
, 4G072LL11
, 4G072MM04
, 4G072MM23
, 4G072MM31
, 4G072NN21
, 4G072RR05
, 4G072TT19
, 4G072TT30
, 4G072UU30
引用特許:
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