特許
J-GLOBAL ID：200903043217139313

TMR素子およびその形成方法

発明者：
王 ▲恵▼娟

王 ▲恵▼娟 について

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▲赴▼ ▲丹▼

▲赴▼ ▲丹▼ について

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李 民

李 民 について

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張 坤亮

張 坤亮 について


出願人/特許権者：
ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド

ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-288177
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117846
出願日： 2008年11月10日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：
【課題】小さい保磁力およびRA値を確保しつつ、高いTMR比を得る。【解決手段】MgOxからなるトンネルバリア層17の上に、CoBX からなる低磁歪(λ=-5×10-6〜0)のフリー層18を形成する。フリー層18は、FeCoY /CoBX (Yは0〜100原子%)という2層構造、あるいは、FeCoY /CoU FeW BZ /CoBX 、FeCoY /CoBX /CoU FeW BZ 、FeCoY /CoFeW /CoBX 、またはFeCoY /FeBV /CoBX という3層構造として形成してもよい。ここで、CoBX を、CoNiFeBまたはCoNiFeBMに置き換えてもよい。但し、MはV,Ti,Zr,Nb,Hf,TaおよびMoのうちのいずれかである。小さい保磁力およびRA値を確保しつつ、従来のCoFe/NiFe構造のフリー層の場合に比べてTMR比が15〜30%程度向上する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板の上に順に積層形成された、シード層、反強磁性層およびピンド層を含む積層体と、 前記ピンド層の上に形成された、MgOx(酸化マグネシウム)からなるトンネルバリア層と、 前記トンネルバリア層の上に形成された、CoBX (コバルトボロン;1原子%≦X≦30原子%)またはFeBV (鉄ボロン;1原子%≦V≦30原子%)を含むフリー層と、 前記フリー層の上に形成されたキャップ層と を備えたTMR(tunneling magnetoresistive) 素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/16
FI (6件)：
H01L43/08 M ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01F10/16
Fターム (39件)：
5D034BA04 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034BB09 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA25 ,  5F092AA02 ,  5F092AB03 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC14 ,  5F092BC18 ,  5F092BC22 ,  5F092BE06 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092CA02 ,  5F092CA14 ,  5F092CA23 ,  5F092CA25
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第7,035,058号
  • 米国特許公開2007/0139827号
  • 米国特許公開2007/0047159号
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審査官引用 (6件)
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