特許
J-GLOBAL ID：200903083583766128
磁気トンネル接合素子、MRAM、STT-RAM、MRAMの製造方法、STT-RAMの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三反崎 泰司
, 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-281824
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111396
出願日： 2008年10月31日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：
【課題】動作信頼性に優れたSTT-RAMに好適なMTJ素子を提供する。【解決手段】MTJ素子8は、AFM層11と、SyAFピンド層12と、マグネシウム層を自然酸化処理してなる結晶質のMgOを有するトンネルバリア層13と、フリー層14とを含む。フリー層14は、鉄もしくはFe (100-X)Bx(0<x≦5)からなる単層構造、または、Fe\CoFeB\Feの積層構造を有する。これにより、ギルバート減衰定数が減少し、伝導電子に対してスピン偏極がより強く促される。その結果、臨界電流密度が低減され、動作上の信頼性が向上する。抵抗のばらつきが小さくなるので、リードマージンを大きくすることができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基体上に設けられた反強磁性層と、
前記反強磁性層の上に第1の強磁性層(AP2層)と結合層と第2の強磁性層(AP1層)とが順に積層された構造を有するピンド層と、
前記第2の強磁性層の上に設けられ、結晶質の酸化マグネシウム(MgO)を有するトンネルバリア層と、
前記トンネルバリア層の上に設けられ、鉄(Fe)もしくはFe (100-X)Bx(0<x≦5)からなる単層構造、または、前記トンネルバリア層の側から第1の鉄(Fe)層とコバルト鉄ボロン合金(CoFeB)層と第2の鉄(Fe)層とが順に積層されてなる積層構造を有するフリー層と
を含むことを特徴とする磁気トンネル接合素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, H01L 43/12
, H01L 21/824
, H01L 27/105
H01L43/08 Z
, H01L43/12
, H01L27/10 447
4M119AA03
, 4M119AA06
, 4M119AA08
, 4M119AA15
, 4M119BB01
, 4M119CC02
, 4M119CC05
, 4M119DD03
, 4M119DD05
, 4M119DD06
, 4M119DD08
, 4M119DD09
, 4M119DD33
, 4M119DD45
, 4M119EE22
, 4M119EE27
, 4M119FF05
, 4M119FF06
, 4M119FF15
, 4M119FF17
, 4M119JJ02
, 4M119JJ03
, 4M119JJ09
, 5F092AA02
, 5F092AB08
, 5F092AC12
, 5F092AD25
, 5F092BB10
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BB53
, 5F092BB55
, 5F092BC07
, 5F092BC13
, 5F092BC22
, 5F092BE21
, 5F092BE27
, 5F092CA14
, 5F092CA15
, 5F092CA23
出願人引用 (2件)
-
米国特許出願公開第2005/0184839号明細書
-
米国特許第6649960号明細書
審査官引用 (8件)
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