特許
J-GLOBAL ID:200903043231388326
半導体薄膜ガスセンサー装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 竹内 浩二
, 西山 雅也
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-506505
公開番号(公開出願番号):特表2006-524326
出願日: 2004年04月22日
公開日(公表日): 2006年10月26日
要約:
半導体薄膜タイプのガスセンサー装置には、その片面に、少なくとも1個のガスセンサー、抵抗発熱体薄膜、及び当該センサー及び抵抗発熱体薄膜を電気的に接触させるためのパッドが含まれている。当該発熱体素子、ガスセンサー薄膜及び接点パッドは、全てスパッタ法によって作製される。
請求項(抜粋):
少なくとも二面を有する絶縁基板(2)、当該基板に形成された半導体薄膜(3,4)、並びに当該基板及びその基板に形成された当該半導体薄膜を所定温度に加熱するための抵抗発熱体(8)を含むガスセンサー装置であって、当該基板(2)の片面に形成された半導体薄膜から作製され、当該基盤の前記片面に形成された各接点パッド(5,6,7)と抵抗発熱体(8)とが備えられ、そして電源に接続するための各接点パッド(9,10)が備えられている、少なくとも1個の分離センサー素子(3,4)を含んでいることを特徴とするガスセンサー装置。
IPC (1件):
FI (2件):
G01N27/12 B
, G01N27/12 C
Fターム (26件):
2G046AA11
, 2G046BA01
, 2G046BA07
, 2G046BA08
, 2G046BA09
, 2G046BB02
, 2G046BB04
, 2G046BC03
, 2G046BC05
, 2G046BE03
, 2G046DB04
, 2G046DB05
, 2G046DC14
, 2G046EA02
, 2G046EA04
, 2G046EA08
, 2G046EA09
, 2G046FB02
, 2G046FE03
, 2G046FE12
, 2G046FE31
, 2G046FE38
, 2G046FE39
, 2G046FE44
, 2G046FE46
, 2G046FE48
引用特許:
審査官引用 (9件)
-
ガスセンサ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-278103
出願人:エルジー電子株式会社
-
ガス検知素子及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-212139
出願人:株式会社リケン
-
ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-064122
出願人:トキコ株式会社
-
薄膜ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-326590
出願人:富士電機株式会社
-
ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-160400
出願人:株式会社トクヤマ, フィガロ技研株式会社
-
ガス種決定方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-140017
出願人:株式会社リコー
-
ニオイ・センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-165991
出願人:能美防災株式会社
-
特開昭58-169052
-
ガスセンサ素子およびその製法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-254672
出願人:京セラ株式会社, 平野眞一
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