硬質炭素膜および硬質炭素基板

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-094868
公開番号（公開出願番号）：特開平11-292692
出願日： 1998年04月07日
公開日（公表日）： 1999年10月26日
要約：

【要約】【課題】デバイスの重要な特性に実質的に影響を与える程度には品質を低下させることなく、しかも製造容易(ないし低製造コスト)な硬質炭素膜ないし硬質炭素基板を提供する。【解決手段】結晶質ダイヤモンドと、硬質炭素とを少なくとも含む硬質炭素膜を形成する。該硬質炭素膜は、そのX線回折において結晶質ダイヤモンドに対応するピークを与え、且つラマン分光分析において1333cm-1付近のピーク強度(Id)に対する、その他sp2構造に対応するピーク強度の積分値の強度比(Ic)の強度比(Id/Ic)が1以下である。

請求項（抜粋）：

結晶質ダイヤモンドと、高配高熱炭素(Highly Oriented Pyrotic Graphite)膜または結晶性炭素とを含むことを特徴とする硬質炭素膜。

IPC (2件)：

C30B 29/04 , C23C 16/26

FI (2件)：

C30B 29/04 P , C23C 16/26

引用特許：

審査官引用 (13件)

ヒートシンク用ダイヤモンド膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-319313 出願人：株式会社豊田中央研究所
特開平4-354873
半導体装置用基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-192118 出願人：住友電気工業株式会社

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