特許
J-GLOBAL ID：200903043285021274
半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-320121
公開番号（公開出願番号）：特開2005-086175
出願日： 2003年09月11日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】 半導体薄膜を比較的短時間で切断でき、且つ切断面を比較的滑らかに形成することができる半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、並びに該半導体薄膜を備える電子管及び光検出素子を提供する。【解決手段】 表面10a上にダイヤモンド薄膜12が形成されたSi基板10をチップ状に切断する際に、Si基板10及びダイヤモンド薄膜12の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射することにより、多光子吸収による改質領域を形成し、該改質領域でもって切断予定ラインに沿った切断起点領域8a及び8bを形成する。そして、切断起点領域8a及び8bに沿ってSi基板10及びダイヤモンド薄膜12を切断する。【選択図】 図20
請求項（抜粋）：
表面に半導体薄膜が形成された基板に対し、前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、該改質領域でもって切断予定ラインに沿った切断起点領域を形成する工程と、
前記切断起点領域に沿って前記基板及び前記半導体薄膜を共に切断する工程と
を備えることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/78 B
, B23K26/00 310E
, H01L21/78 V
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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