特許
J-GLOBAL ID：200903043306751367
膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-231675
公開番号（公開出願番号）：特開2001-055509
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜の膜形成用組成物を得る。【解決手段】 A)A-1式1で表される化合物、(R1は1価の有機基を示す。)A-2式2で表される化合物(R2はフッ素原子または1価の有機基を、R3は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)A-3式3で表される化合物(R4〜R7は、1価の有機基を、bおよびcは、0〜2の数を、R8は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を、nは1〜6を、dは0または1を示す。)から選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物B)白金化合物、パラジウム化合物、ロジウム化合物の群から少なくとも1種とならびにC)炭素-炭素2重結合、3重結合及びケトン結合から選ばれる結合を分子内に2以上有する化合物を含む。
請求項（抜粋）：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物、HSi(OR1)3 ・・・・・(1)(R1は1価の有機基を示す。)(A-2)下記一般式(2)で表される化合物R2aSi(OR3)4-a ・・・・・(2)(R2はフッ素原子または1価の有機基を示し、R3は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-3)下記一般式(3) で表される化合物 R4b(R5O)3-bSi-(R8)d-Si(OR6)3-cR7c・・・・・(3)(R4,R5,R6およびR7は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R8は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方(B)白金化合物、パラジウム化合物、ロジウム化合物の群から選ばれる少なくとも1種の化合物ならびに(C)炭素-炭素2重結合、炭素-炭素3重結合およびケトン結合から選ばれる結合を分子内に2以上有する化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (5件)：
C08L 83/04
, H01L 21/283
, H01L 21/312
, C09D183/04
, C09J183/04
C08L 83/04
, H01L 21/283 C
, H01L 21/312 C
, C09D183/04
, C09J183/04
