特許
J-GLOBAL ID：200903043537297790

真空紫外光透過リソグラフィ用オキシフッ化ケイ素ガラス

発明者：
ムーア,リサ エイ

ムーア,リサ エイ について

, 
スミス,チャーリーン

スミス,チャーリーン について


出願人/特許権者：
コーニング インコーポレイテッド

コーニング インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-598901
公開番号（公開出願番号）：特表2002-536705
出願日： 2000年02月07日
公開日（公表日）： 2002年10月29日
要約：
【要約】 190nm以下の真空紫外波長領域におけるフォトリソグラフィ用途のためのフォトマスク基板として用いるに適する高純度オキシフッ化ケイ素ガラスが開示される。発明のオキシフッ化ケイ素ガラスは約157nmの波長において透過性があり、このことによりオキシフッ化ケイ素ガラスは157nm波長領域におけるフォトマスク基板として特に有用となる。発明のフォトマスク基板は、一般に高純度溶融シリカ にともなう優れた熱的及び物理的特性は維持しながら、真空紫外( VUV) 波長領域において極めて高い透過率を示す、“乾燥”オキシフッ化ケイ素ガラスである。フッ素を含有し、OHをほとんどまたは全く含有しないことに加えて、157nmにおけるフォトマスク基板として用いるに適する、発明のオキシフッ化ケイ素ガラスは1×1017 分子/ cm3 より少ない水素分子を有すること及び塩素レベルが低いことも特徴とする。
請求項（抜粋）：
約157nmの波長におけるフォトリソグラフィのための、波長が193nm以下のVUV( 真空紫外) 用フォトマスク基板において:OH含有量が重量で50ppm以下及び水素含有量が1×1017 分子/ cm3 以下であり、フッ素含有量が0. 1から2重量%の範囲にある、高純度オキシフッ化ケイ素ガラスを含むことを特徴とするVUV用フォトマスク基板。
IPC (5件)：
G03F 1/14 ,  C03C 3/06 ,  C03C 4/00 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 1/14 B ,  C03C 3/06 ,  C03C 4/00 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (66件)：
2H095BA07 ,  2H095BC27 ,  2H095BC28 ,  2H097AA03 ,  2H097CA13 ,  2H097CA17 ,  2H097JA02 ,  2H097LA10 ,  4G062AA04 ,  4G062BB02 ,  4G062DA08 ,  4G062DB01 ,  4G062DC01 ,  4G062DD01 ,  4G062DE01 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EA10 ,  4G062EB01 ,  4G062EC01 ,  4G062ED01 ,  4G062EE01 ,  4G062EF01 ,  4G062EG01 ,  4G062FA01 ,  4G062FA10 ,  4G062FB01 ,  4G062FC01 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062GA01 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE02 ,  4G062GE03 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM02 ,  4G062MM27 ,  4G062NN01 ,  4G062NN16
引用特許：
審査官引用 (7件)
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