特許

J-GLOBAL ID：200903043961151780

ウエハ処理装置およびウエハ処理方法

発明者： 菅野 誠一郎 ,  数見 秀之 ,  坪根 恒彦 ,  吉開 元彦 ,  荒巻 徹 ,  角谷 匡規
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-069928
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260011
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 ウエハ外周までエッチング形状が垂直に加工することができるエッチング装置を提供する。【解決手段】 静電チャックの肩部に、高さが静電チャック基材の高さとほぼ同一な電界補正電極の表面に溶射法などによりセラミックスの誘電体膜を取り付けた電界補正リングを配置した構造とすることにより達成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

プラズマを用いて半導体ウエハに処理を施すウエハ処理装置において、 前記ウエハを積載するウエハステージは、ウエハ積載部となる凸型を有する導電性材料からなり高周波が印加される円盤とこの円盤の表面にセラミックス製誘電体膜を取り付けた構成であり、前記凸部は前記ウエハの直径より小さな直径を有し、前記凸部の外周には、内径が前記凸部の直径より大きくかつ前記ウエハの直径よりも小さな、厚みが前記凸部の高さ以下の厚みを有する、少なくとも上面にセラミックス製誘電体膜を取り付けた導電性材料からなるリング状部材を配置したことを特徴とするウエハ処置装置。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  H01L21/68

FI (2件)：

H01L21/302 101G ,  H01L21/68 R

Fターム (15件)：

5F004AA01 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA10 ,  5F031HA16 ,  5F031HA17 ,  5F031HA18 ,  5F031HA19 ,  5F031HA39 ,  5F031MA32 ,  5F031PA30

引用特許：

出願人引用 (1件)

• エッチング速度の均一性を改良する技術
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-506576   出願人：ラムリサーチコーポレーション

審査官引用 (7件)

• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-179616   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平2-268430
  
• ドライエッチング方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-065829   出願人：シャープ株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-238819   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
• プラズマ処理方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-175955   出願人：芝浦メカトロニクス株式会社
• フォーカスリング及びプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-038396   出願人：東京エレクトロン株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-155500   出願人：株式会社日立製作所