特許
J-GLOBAL ID：200903044039602116
ポジ型フォトレジスト組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100300
公開番号（公開出願番号）：特開2002-296779
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】半導体デバイスの製造において、コンタクトホールパターンやトレンチパターンについても良好な解像性を有し、疎密依存性も小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】特定の繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び下記一般式(CI)で表される化合物、一般式(CII)で表される化合物、及び下記一般式(CIII)で示される多環式構造上に酸不安定性基により保護されているカルボン酸基を含む置換基を少なくともひとつ有する構造の溶解阻止化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
請求項（抜粋）：
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)下記一般式(I-1)〜(I-4)の少なくともいずれかで表される基を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、及び(C)下記一般式(CI)で表される化合物、一般式(CII)で表される化合物、及び下記一般式(CIII)で示される多環式構造上に酸不安定性基により保護されているカルボン酸基を含む置換基を少なくともひとつ有する構造を、少なくとも二つ有する化合物から選ばれる少なくともひとつの化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】【化2】【化3】一般式(I-1)〜(I-4)中;R1〜R5は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。R1〜R5の内の2つは、結合して環を形成してもよい。一般式(CI)中、Xは、酸素原子、硫黄原子、-N(R53)-、又は単結合を表す。R51、R52及びR53は、各々独立に水素原子又はアルキル基を表し、R’は、-COOR’で酸分解性基を構成する基を表す。Rは有橋式炭化水素、飽和環式炭化水素またはナフタレン環を含むn1 価の残基を表す。n1は1〜4の整数を示し、q1は0〜10の整数を示す。一般式(CII)中、R60は、アルキル基又はハロゲン原子を表し、R61は、-O-R61で酸分解性基を構成する基を表し、m1は0〜4の整数を示す。p1は1〜4の整数を示す。
IPC (6件)：
G03F 7/039 601
, C08K 5/00
, C08L101/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/20 502
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, C08K 5/00
, C08L101/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/20 502
, H01L 21/30 502 R
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 2H097CA13
, 2H097FA03
, 2H097LA10
, 4J002BG041
, 4J002BG071
, 4J002BG131
, 4J002EB116
, 4J002EU026
, 4J002EU036
, 4J002EU186
, 4J002EU216
, 4J002EV236
, 4J002EV296
, 4J002FD146
, 4J002FD206
, 4J002GP03
