特許
J-GLOBAL ID：200903044543070710
選択的にドーピングされたIII-V窒化物層を有する半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391607
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210863
出願日： 2000年11月17日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 本発明はドーピングされたIII-V窒化物発光装置に関する。【解決手段】 ゲルマニウム(Ge)、シリコン(Si)、錫(Sn)、及び/又は酸素(O)などのドナードーパントを有するIII-V窒化物のn-型装置層、及び/又はマグネシウム(Mg)、ベリリウム(Be)、亜鉛(Zn)、及び/又はカドミウム(Cd)などのアクセプタドーパントを有するIII-V窒化物のp-型装置層とを含み、どちらも同時に又はドーピング超格子中で歪みを強化し、伝導率を改善し、長い波長の発光を可能にする半導体装置が提供される。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の上に配置されたIII-V窒化物層と、前記III-V窒化物層の上に配置された活性層と、前記活性層の上に配置された第2の窒化物層と、を含み、前記III-V窒化物層が、ゲルマニウム、錫、酸素、マグネシウム、ベリリウム、亜鉛、カドミウム、及びそれらの組合せからなる群から選ばれる元素のドーパントでドーピングされ、それにより応力が制御されて前記III-V窒化物層の脆化が最小化されることを特徴とする装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, C23C 16/34
, H01L 21/205
, H01S 5/323
H01L 33/00 C
, C23C 16/34
, H01L 21/205
, H01S 5/323
