特許

J-GLOBAL ID：200903044801279395

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者： 笠原 修 ,  前田 喜世彦 ,  米田 秋彦
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-287380
公開番号（公開出願番号）：特開2009-044191
出願日： 2008年11月10日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】基板装入工程または/および基板引出工程時に、反応室内からパーティクルを有効に排除する。【解決手段】少なくとも一枚の基板を反応室に装入する工程と、前記反応室内に反応ガスを導入し、前記反応室内を排気して、前記基板を処理する工程と、処理後の基板を前記反応室より引き出す工程とを有し、前記基板を装入する工程または/および基板を引き出す工程では、前記反応室内に不活性ガスを導入しつつ前記基板を処理する工程における排気流量よりも大きな排気流量にて前記反応室内を排気することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも一枚の基板を反応室内に装入する工程と、 前記反応室内に反応ガスを導入し、前記反応室内を排気して、前記基板を処理する工程と、 処理後の基板を前記反応室より引き出す工程とを有し、 前記基板を装入する工程または/および基板を引き出す工程では、前記反応室内に不活性ガスを導入しつつ前記基板を処理する工程における排気流量よりも大きな排気流量にて前記反応室内を排気することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44

FI (3件)：

H01L21/31 B ,  H01L21/31 E ,  C23C16/44 J

Fターム (26件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030GA12 ,  4K030KA04 ,  4K030KA28 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD11 ,  5F045AE19 ,  5F045BB14 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB12 ,  5F045EG05 ,  5F045EK06 ,  5F045EN04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 基板処理装置及び基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-361109   出願人：国際電気株式会社
• CVD装置の汚染防止方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-180968   出願人：国際電気株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-298099   出願人：株式会社日立国際電気
• 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-060136   出願人：株式会社日立国際電気
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-074082   出願人：国際電気株式会社
• 半導体の製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-269863   出願人：九州日本電気株式会社