特許
J-GLOBAL ID：200903044854626801
発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-231545
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050793
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 光取出層として従来のGaPやAlGaAs混晶よりも屈折率のさらに小さい化合物半導体層を使用することにより、光取出効率を大幅に改善した発光素子を提供する。【解決手段】 各々(AlxGa1-x)yIn1-yP(但し、0≦x,y≦1かつx+y=1)混晶にて構成される第一導電型クラッド層6、活性層5及び第二導電型クラッド層4がこの順序にて積層されたダブルへテロ構造層を発光層部24として有し、かつ該発光層部24の少なくとも片側に、550nm以上650nm以下の波長帯の光に対する屈折率が3.2以下である化合物半導体からなる光取出層10、13が形成される。全反射の臨界角度は、例えば従来のGaPの値と比較して8〜50%程度向上する。臨界角度が増大した分だけ全反射による損失が生じ難くなり、光取出層としてGaPやAlGaAs混晶を用いた場合よりも、光取出効率を大きくすることができる。
請求項（抜粋）：
各々(AlxGa1-x)yIn1-yP(但し、0≦x,y≦1かつx+y=1)混晶にて構成される第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層が積層されたダブルへテロ構造を発光層部として有し、かつ該発光層部の少なくとも片側に、550nm以上650nm以下の波長帯の光に対する屈折率が3.2以下である化合物半導体からなる光取出層が形成されていることを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00
, H01L 21/60 301
H01L 33/00 B
, H01L 21/60 301 P
5F041AA03
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA39
, 5F041CA41
, 5F041CA42
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA83
, 5F041CA85
, 5F041DA07
, 5F044EE21
