AlGaInP発光ダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢口平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-215408
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044495
出願日： 1999年07月29日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】高輝度のAlGaInPLEDを作製するに好都合な窓層の積層構成を提供する。【解決手段】窓層をII-VI族化合物半導体層と金属酸化物層との重層構造から構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>)<SB>Y</SB>In<SB>1-Y</SB>P(0≦X≦1、0<Y≦1)からなる発光層、II-VI族化合物半導体層、酸化物結晶からなる窓層、及び金属電極を有するpn接合型ダブルヘテロ構造の発光ダイオードにおいて、II-VI族化合物半導体層が前記金属電極の下部を除いた領域に形成されていることを特徴とする発光ダイオード。

FI (3件)：

H01L 33/00 B , H01L 33/00 D , H01L 33/00 L

Fターム (11件)：

5F041AA03 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA41 , 5F041CA43 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA88

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-228364 出願人：シャープ株式会社
特開平4-316374
発光半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-161877 出願人：ローム株式会社

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審査官引用 (7件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-228364 出願人：シャープ株式会社
特開平4-316374
発光半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-161877 出願人：ローム株式会社

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